PSMN8R5-100ES,PSMN5R0-100ES127 - Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays

Actuator Length：

Actuator Type：

Additional Feature：

Analog IC - Other Type：

Applications：

Automotive：

Avalanche Energy Rating (Eas)：

Base Part Number：

Base Product Number：

Base Resonator：

Brand：

Brand Name：

Bushing Thread：

Capacitance：

Capacitance - Input：

Case Connection：

Category：

Channel Mode：

Channel Type：

Clock Frequency：

Coil Voltage：

Color：

Composition：

Configuration：

Connection Type：

Connector Type：

Contact Finish - Mating：

Contact Finish Thickness - Mating：

Contact Material：

Contact Plating：

Continuous Drain Current：

Continuous Drain Current (ID)：

Continuous Drain Current (Id) @ 25°C：

Continuous Drain Current Id：

Control Technique：

Current：

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：

Current - Peak Output (Source, Sink)：

Current - Supply (Disable) (Max)：

Current - Supply (Max)：

Current Rating：

Current Rating (Amps)：

Diameter：

Dimensions：

Drain Current-Max (Abs) (ID)：

Drain to Source Breakdown Voltage：

Drain to Source Resistance：

Drain to Source Voltage (Vdss)：

Drain-source On Resistance-Max：

Drain-Source On-Volt：

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：

Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)：

Driven Configuration：

DS Breakdown Voltage-Min：

100 V (9)
1000V (20)
100V (56)
12 V (3)
1200V (9)
12V (33)
150 V (4)
150V (1)
17 V (1)
1700 V (1)
20 V (6)
200 V (5)
200V (20)
20V (261)
23V (1)
240 V (1)
24V (1)
250 V (2)
250V (4)
25V (6)
30 V (10)
300V (2)
30V (278)
350 V (1)
40 V (6)
40V (53)
450 V (1)
450V (1)
45V (4)
50 V (2)
500 V (2)
500V (47)
50V (14)
55 V (5)
55V (13)
60 V (8)
600V (34)
60V (106)
62V (3)
70 V (2)
75 V (3)
75V (13)
80 V (1)
800V (16)
80V (5)
85 V (1)
85V (1)
8V (9)
900 V (3)
90V (1)

Efficiency：

Element Configuration：

EU RoHS：

Factory Lead Time：

Failure Rate：

Fall Time (Typ)：

Fastening Type：

Features：

Feedback Cap-Max (Crss)：

FET Feature：

FET Type：

Frequency：

Frequency Stability：

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：

Gate to Source Voltage (Vgs)：

Gate Type：

Gate-Source Voltage (Max)：

Halogen Free：

Height：

Height - Seated (Max)：

Height Seated (Max)：

High Side Driver：

HTS Code：

Ingress Protection：

Input Capacitance：

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：

Input Type：

Input Voltage (Max)：

Input Voltage (Min)：

Input Voltage-Nom：

Insulation Voltage：

Interface：

Interface IC Type：

IP Rating：

JEDEC-95 Code：

JESD-30 Code：

JESD-609 Code：

Lead Free：

Length：

Lifecycle Status：

Logic Voltage - VIL, VIH：

Manufacturer：

Manufacturer Lifecycle Status：

Manufacturer Package Identifier：

Material：

Material Finish：

Max Dual Supply Voltage：

Max Input Voltage：

Max Junction Temperature (Tj)：

Max Operating Temperature：

Max Output Current：

Max Output Voltage：

Max Power Dissipation：

Max Supply Voltage：

Maximum Operating Temperature：

Maximum Operating Temperature (°C)：

Memory Size：

Memory Type：

Mfr：

Military Standard：

Min Breakdown Voltage：

Min Operating Temperature：

Min Supply Voltage：

Minimum Operating Temperature：

Moisture Sensitivity Level (MSL)：

Mount：

Mounting：

Mounting Style：

Mounting Type：

MSL：

Note：

Number of Channels：

Number of Drivers：

Number of Elements：

Number of Elements per Chip：

Number of Functions：

Number of Pins：

Number of Positions：

Number of Rows：

Number of Terminals：

Number of Terminations：

Operating Mode：

Operating Supply Voltage：

Operating Temp Range：

Operating Temperature：

Operating Temperature (Max)：

Operating Temperature (Min)：

Operating Temperature Classification：

Operating Temperature Range：

Orientation：

Other Names：

Output：

Output Current：

Output Current per Channel：

Output Current-Max：

Output Peak Current Limit-Nom：

Output Type：

Output Voltage：

Package：

Package / Case：

Package Length：

Package Quantity：

Package Shape：

Package Type：

Package Width：

Packaging：

Part Status：

Pbfree Code：

PCB changed：

Peak Reflow Temperature (Cel)：

Pin Count：

Pitch：

Polarity：

Polarity/Channel Type：

Power (Watts)：

Power - Max：

Power Dissipation：

Power Dissipation (Max)：

Power Dissipation-Max：

Power Dissipation-Max (Abs)：

Power Dissipation-Max (Ta=25°C)：

Power Rating：

Power Supplies：

PPAP：

Primary Material：

Product：

Product Category：

Product Status：

Product Type：

Published：

Pulsed Drain Current-Max (IDM)：

Qualification：

Qualification Status：

Rated Power：

Ratings：

Rds On (Max) @ Id, Vgs：

Rds On Max：

Reach Compliance Code：

REACH SVHC：

Recovery Time：

Reference Standard：

Resistance：

Rise / Fall Time (Typ)：

Rise Time：

RoHS：

RoHS Status：

Row Spacing：

Seated Height-Max：

Series：

Shape：

Shell Finish：

Shell Material：

Shell Size - Insert：

Shielding：

Size：

Size / Dimension：

Standard Package Name：

Style：

Subcategory：

Supplier Device Package：

Supplier Package：

Supply Current-Max (Isup)：

Supply Voltage：

Supply Voltage-Max (Vsup)：

Surface Mount：

Switch Function：

Switcher Configuration：

Switching Frequency-Max：

Technology：

Temperature Coefficient：

Temperature Grade：

Terminal：

Terminal Finish：

Terminal Form：

Terminal Pitch：

Terminal Position：

Termination：

Termination Style：

Thickness：

Threshold Voltage：

Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：

Tolerance：

Tradename：

Transistor Application：

Transistor Element Material：

Transistor Polarity：

Transistor Type：

Turn On Delay Time：

Turn On Time-Max (ton)：

Turn-Off Delay Time：

Turn-On Delay Time：

Type：

Vf - Forward Voltage：

Vgs (Max)：

Vgs(th) (Max) @ Id：

Voltage：

Voltage - Rated DC：

Voltage - Supply：

Voltage Rating：

Weight：

Width：

Maximum Drain Source Voltage (V)：

Maximum Gate Source Voltage (V)：

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)：

Highest Frequency Band：

Dual Supply Voltage：

Power Dissipation Ambient-Max：

Maximum Continuous Drain Current (A)：

Nominal Vgs：

Turn Off Time-Max (toff)：

Filter：

Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays

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Part	Manufacturer	Description	Price		Stock	Action
PSMN8R5-100ES	Nexperia	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1	-	PDF RFQ	35,838 In-stock Warehouse	ADD TO RFQ
PSMN5R0-100ES127	Nexperia	120A, 100V, 0.005OHM, N CHANNE	-	PDF RFQ	13,484 In-stock Warehouse	ADD TO RFQ
FW342-T-TL-H	onsemi	N CHANNEL AND P CHANNEL SILICON	-	PDF RFQ	41,405 In-stock Warehouse	ADD TO RFQ
PMCXB900UEL/S500,147	NXP Semiconductors	0.6A, 20V, 2-ELEMENT, N CHANNEL	-	PDF RFQ	18,982 In-stock Warehouse	ADD TO RFQ
IRF7902TRPBF	International Rectifier	HEXFET POWER MOSFET	-	PDF RFQ	53,429 In-stock Warehouse	ADD TO RFQ
PMPB215ENEA/F,115	Nexperia	80V, SINGLE N CHANNEL TRENCH MOS	-	PDF RFQ	15,719 In-stock Warehouse	ADD TO RFQ
2SJ633-E	Fairchild Semiconductor	4A, 60V, P-CHANNEL MOSFET	-	PDF RFQ	11,167 In-stock Warehouse	ADD TO RFQ
MRF6V2300NBR5,578	NXP Semiconductors	LATERAL N CHANNEL SINGLE-ENDED B	-	PDF RFQ	28,431 In-stock Warehouse	ADD TO RFQ
RF1S30P06	Harris Corporation	30A, 60V, 0.065OHM, P-CHANNEL,	-	PDF RFQ	16,874 In-stock Warehouse	ADD TO RFQ
FDBL9406	Fairchild Semiconductor	N-CHANNEL POWER MOSFET	-	PDF RFQ	1,905 In-stock Warehouse	ADD TO RFQ
MRF8S21100HSR3,128	NXP Semiconductors	RF S BAND, N-CHANNEL, MOSFET	-	PDF RFQ	30,063 In-stock Warehouse	ADD TO RFQ
IRF1404PBF-EL	International Rectifier	HEXFET POWER MOSFET	-	PDF RFQ	19,673 In-stock Warehouse	ADD TO RFQ
NX7002BKW,115	Nexperia	0.24A, 60V, N CHANNEL MOSFET, SC	-	PDF RFQ	5,284 In-stock Warehouse	ADD TO RFQ
FDWS9420-F085	Fairchild Semiconductor	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR	-	PDF RFQ	4,736 In-stock Warehouse	ADD TO RFQ
IRF512S2532	Harris Corporation	4.9A, 100V, 0.74 OHM, N-CHANNEL	-	PDF RFQ	41,114 In-stock Warehouse	ADD TO RFQ
IRF640S2470	Harris Corporation	18A, 200V, 0.18OHM, N-CHANNEL,	-	PDF RFQ	49,647 In-stock Warehouse	ADD TO RFQ
PMV50ENEA,215	Nexperia	3.9A, 30V, N CHANNEL, SILICON, M	-	PDF RFQ	20,729 In-stock Warehouse	ADD TO RFQ
PMV28UNEA,215	Nexperia	2.9A, 20V, N CHANNEL, SILICON, M	-	PDF RFQ	8,811 In-stock Warehouse	ADD TO RFQ
2SJ293-E	Intersil (Renesas Electronics Corporation)	15A, 60V, P-CHANNEL MOSFET	-	PDF RFQ	42,636 In-stock Warehouse	ADD TO RFQ
2SK3614-TD-E	onsemi	N-CHANNEL, MOSFET	-	PDF RFQ	24,652 In-stock Warehouse	ADD TO RFQ

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