FD1400R12IP4DBOSA1,GE12047BCA3 - Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays

Actuator Length：

Actuator Type：

Additional Feature：

Analog IC - Other Type：

Applications：

Automotive：

Avalanche Energy Rating (Eas)：

Base Part Number：

Base Product Number：

Base Resonator：

Brand：

Brand Name：

Bushing Thread：

Capacitance：

Capacitance - Input：

Case Connection：

Category：

Channel Mode：

Channel Type：

Clock Frequency：

Coil Voltage：

Color：

Composition：

Configuration：

Connection Type：

Connector Type：

Contact Finish - Mating：

Contact Finish Thickness - Mating：

Contact Material：

Contact Plating：

Continuous Drain Current：

Continuous Drain Current (ID)：

Continuous Drain Current (Id) @ 25°C：

Continuous Drain Current Id：

Control Technique：

Current：

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：

Current - Peak Output (Source, Sink)：

Current - Supply (Disable) (Max)：

Current - Supply (Max)：

Current Rating：

Current Rating (Amps)：

Diameter：

Dimensions：

Drain Current-Max (Abs) (ID)：

Drain to Source Breakdown Voltage：

Drain to Source Resistance：

Drain to Source Voltage (Vdss)：

Drain-source On Resistance-Max：

Drain-Source On-Volt：

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：

Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)：

Driven Configuration：

DS Breakdown Voltage-Min：

100 V (9)
1000V (20)
100V (56)
12 V (3)
1200V (9)
12V (33)
150 V (4)
150V (1)
17 V (1)
1700 V (1)
20 V (6)
200 V (5)
200V (20)
20V (261)
23V (1)
240 V (1)
24V (1)
250 V (2)
250V (4)
25V (6)
30 V (10)
300V (2)
30V (278)
350 V (1)
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40V (53)
450 V (1)
450V (1)
45V (4)
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500 V (2)
500V (47)
50V (14)
55 V (5)
55V (13)
60 V (8)
600V (34)
60V (106)
62V (3)
70 V (2)
75 V (3)
75V (13)
80 V (1)
800V (16)
80V (5)
85 V (1)
85V (1)
8V (9)
900 V (3)
90V (1)

Efficiency：

Element Configuration：

EU RoHS：

Factory Lead Time：

Failure Rate：

Fall Time (Typ)：

Fastening Type：

Features：

Feedback Cap-Max (Crss)：

FET Feature：

FET Type：

Frequency：

Frequency Stability：

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：

Gate to Source Voltage (Vgs)：

Gate Type：

Gate-Source Voltage (Max)：

Halogen Free：

Height：

Height - Seated (Max)：

Height Seated (Max)：

High Side Driver：

HTS Code：

Ingress Protection：

Input Capacitance：

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：

Input Type：

Input Voltage (Max)：

Input Voltage (Min)：

Input Voltage-Nom：

Insulation Voltage：

Interface：

Interface IC Type：

IP Rating：

JEDEC-95 Code：

JESD-30 Code：

JESD-609 Code：

Lead Free：

Length：

Lifecycle Status：

Logic Voltage - VIL, VIH：

Manufacturer：

Manufacturer Lifecycle Status：

Manufacturer Package Identifier：

Material：

Material Finish：

Max Dual Supply Voltage：

Max Input Voltage：

Max Junction Temperature (Tj)：

Max Operating Temperature：

Max Output Current：

Max Output Voltage：

Max Power Dissipation：

Max Supply Voltage：

Maximum Operating Temperature：

Maximum Operating Temperature (°C)：

Memory Size：

Memory Type：

Mfr：

Military Standard：

Min Breakdown Voltage：

Min Operating Temperature：

Min Supply Voltage：

Minimum Operating Temperature：

Moisture Sensitivity Level (MSL)：

Mount：

Mounting：

Mounting Style：

Mounting Type：

MSL：

Note：

Number of Channels：

Number of Drivers：

Number of Elements：

Number of Elements per Chip：

Number of Functions：

Number of Pins：

Number of Positions：

Number of Rows：

Number of Terminals：

Number of Terminations：

Operating Mode：

Operating Supply Voltage：

Operating Temp Range：

Operating Temperature：

Operating Temperature (Max)：

Operating Temperature (Min)：

Operating Temperature Classification：

Operating Temperature Range：

Orientation：

Other Names：

Output：

Output Current：

Output Current per Channel：

Output Current-Max：

Output Peak Current Limit-Nom：

Output Type：

Output Voltage：

Package：

Package / Case：

Package Length：

Package Quantity：

Package Shape：

Package Type：

Package Width：

Packaging：

Part Status：

Pbfree Code：

PCB changed：

Peak Reflow Temperature (Cel)：

Pin Count：

Pitch：

Polarity：

Polarity/Channel Type：

Power (Watts)：

Power - Max：

Power Dissipation：

Power Dissipation (Max)：

Power Dissipation-Max：

Power Dissipation-Max (Abs)：

Power Dissipation-Max (Ta=25°C)：

Power Rating：

Power Supplies：

PPAP：

Primary Material：

Product：

Product Category：

Product Status：

Product Type：

Published：

Pulsed Drain Current-Max (IDM)：

Qualification：

Qualification Status：

Rated Power：

Ratings：

Rds On (Max) @ Id, Vgs：

Rds On Max：

Reach Compliance Code：

REACH SVHC：

Recovery Time：

Reference Standard：

Resistance：

Rise / Fall Time (Typ)：

Rise Time：

RoHS：

RoHS Status：

Row Spacing：

Seated Height-Max：

Series：

Shape：

Shell Finish：

Shell Material：

Shell Size - Insert：

Shielding：

Size：

Size / Dimension：

Standard Package Name：

Style：

Subcategory：

Supplier Device Package：

Supplier Package：

Supply Current-Max (Isup)：

Supply Voltage：

Supply Voltage-Max (Vsup)：

Surface Mount：

Switch Function：

Switcher Configuration：

Switching Frequency-Max：

Technology：

Temperature Coefficient：

Temperature Grade：

Terminal：

Terminal Finish：

Terminal Form：

Terminal Pitch：

Terminal Position：

Termination：

Termination Style：

Thickness：

Threshold Voltage：

Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：

Tolerance：

Tradename：

Transistor Application：

Transistor Element Material：

Transistor Polarity：

Transistor Type：

Turn On Delay Time：

Turn On Time-Max (ton)：

Turn-Off Delay Time：

Turn-On Delay Time：

Type：

Vf - Forward Voltage：

Vgs (Max)：

Vgs(th) (Max) @ Id：

Voltage：

Voltage - Rated DC：

Voltage - Supply：

Voltage Rating：

Weight：

Width：

Maximum Drain Source Voltage (V)：

Maximum Gate Source Voltage (V)：

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)：

Highest Frequency Band：

Dual Supply Voltage：

Power Dissipation Ambient-Max：

Maximum Continuous Drain Current (A)：

Nominal Vgs：

Turn Off Time-Max (toff)：

Filter：

Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays

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FD1400R12IP4DBOSA1	Infineon Technologies	FD1400R12 - INSULATED GATE BIPOL	-	PDF RFQ	20 In-stock Warehouse	ADD TO RFQ
GE12047BCA3	General Electric	1200V 475A SiC Dual Module	-	PDF RFQ	21 In-stock Warehouse	ADD TO RFQ
GE12047CCA3	General Electric	1200V 475A SIC HALF-BRIDGE MODUL	-	PDF RFQ	20 In-stock Warehouse	ADD TO RFQ
GE17042CCA3	General Electric	1700V 425A SiC Half-Bridge Modul	-	PDF RFQ	15 In-stock Warehouse	ADD TO RFQ
GE17042BCA3	General Electric	1700V 425A SiC Dual Module	-	PDF RFQ	5 In-stock Warehouse	ADD TO RFQ
GE17080CDA3	General Electric	1700V 765A SIC HALF-BRIDGE MODUL	-	PDF RFQ	12 In-stock Warehouse	ADD TO RFQ
GE17045EEA3	General Electric	1700V 425A SiC Six-Pack Module	-	PDF RFQ	10 In-stock Warehouse	ADD TO RFQ
SSM6N7002KFU,LF	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation	MOSFET 2N-CH 60V 0.3A	-	PDF RFQ	34,085 In-stock Warehouse	ADD TO RFQ
DMN53D0LDW-13	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363	-	PDF RFQ	64,319 In-stock Warehouse	ADD TO RFQ
NTJD5121NT1G	onsemi	MOSFET 2N-CH 60V 295MA SOT363	-	PDF RFQ	4,891 In-stock Warehouse	ADD TO RFQ
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2N7002BKS,115	Nexperia	MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP	-	PDF RFQ	568,562 In-stock Warehouse	ADD TO RFQ
BSS138PS,115	Nexperia	MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP	-	PDF RFQ	83,946 In-stock Warehouse	ADD TO RFQ
EM6K34T2CR	ROHM Semiconductor	MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6	-	PDF RFQ	33,289 In-stock Warehouse	ADD TO RFQ
BSS84AKS,115	Nexperia	MOSFET 2P-CH 50V 0.16A 6TSSOP	-	PDF RFQ	187,161 In-stock Warehouse	ADD TO RFQ
DMN32D2LDF-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353	-	PDF RFQ	34,702 In-stock Warehouse	ADD TO RFQ
NTZD3154NT1G	onsemi	MOSFET 2N-CH 20V 540MA SOT563	-	PDF RFQ	23,010 In-stock Warehouse	ADD TO RFQ

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