PSMN070-200B,PMV65ENEA,215 - Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays

Actuator Length：

Actuator Type：

Additional Feature：

Analog IC - Other Type：

Applications：

Automotive：

Avalanche Energy Rating (Eas)：

Base Part Number：

Base Product Number：

Base Resonator：

Brand：

Brand Name：

Bushing Thread：

Capacitance：

Capacitance - Input：

Case Connection：

Category：

Channel Mode：

Channel Type：

Clock Frequency：

Coil Voltage：

Color：

Composition：

Configuration：

Connection Type：

Connector Type：

Contact Finish - Mating：

Contact Finish Thickness - Mating：

Contact Material：

Contact Plating：

Continuous Drain Current：

Continuous Drain Current (ID)：

Continuous Drain Current (Id) @ 25°C：

Continuous Drain Current Id：

Control Technique：

Current：

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：

Current - Peak Output (Source, Sink)：

Current - Supply (Disable) (Max)：

Current - Supply (Max)：

Current Rating：

Current Rating (Amps)：

Diameter：

Dimensions：

Drain Current-Max (Abs) (ID)：

Drain to Source Breakdown Voltage：

Drain to Source Resistance：

Drain to Source Voltage (Vdss)：

Drain-source On Resistance-Max：

Drain-Source On-Volt：

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：

Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)：

Driven Configuration：

DS Breakdown Voltage-Min：

100 V (9)
1000V (20)
100V (56)
12 V (3)
1200V (9)
12V (33)
150 V (4)
150V (1)
17 V (1)
1700 V (1)
20 V (6)
200 V (5)
200V (20)
20V (261)
23V (1)
240 V (1)
24V (1)
250 V (2)
250V (4)
25V (6)
30 V (10)
300V (2)
30V (278)
350 V (1)
40 V (6)
40V (53)
450 V (1)
450V (1)
45V (4)
50 V (2)
500 V (2)
500V (47)
50V (14)
55 V (5)
55V (13)
60 V (8)
600V (34)
60V (106)
62V (3)
70 V (2)
75 V (3)
75V (13)
80 V (1)
800V (16)
80V (5)
85 V (1)
85V (1)
8V (9)
900 V (3)
90V (1)

Efficiency：

Element Configuration：

EU RoHS：

Factory Lead Time：

Failure Rate：

Fall Time (Typ)：

Fastening Type：

Features：

Feedback Cap-Max (Crss)：

FET Feature：

FET Type：

Frequency：

Frequency Stability：

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：

Gate to Source Voltage (Vgs)：

Gate Type：

Gate-Source Voltage (Max)：

Halogen Free：

Height：

Height - Seated (Max)：

Height Seated (Max)：

High Side Driver：

HTS Code：

Ingress Protection：

Input Capacitance：

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：

Input Type：

Input Voltage (Max)：

Input Voltage (Min)：

Input Voltage-Nom：

Insulation Voltage：

Interface：

Interface IC Type：

IP Rating：

JEDEC-95 Code：

JESD-30 Code：

JESD-609 Code：

Lead Free：

Length：

Lifecycle Status：

Logic Voltage - VIL, VIH：

Manufacturer：

Manufacturer Lifecycle Status：

Manufacturer Package Identifier：

Material：

Material Finish：

Max Dual Supply Voltage：

Max Input Voltage：

Max Junction Temperature (Tj)：

Max Operating Temperature：

Max Output Current：

Max Output Voltage：

Max Power Dissipation：

Max Supply Voltage：

Maximum Operating Temperature：

Maximum Operating Temperature (°C)：

Memory Size：

Memory Type：

Mfr：

Military Standard：

Min Breakdown Voltage：

Min Operating Temperature：

Min Supply Voltage：

Minimum Operating Temperature：

Moisture Sensitivity Level (MSL)：

Mount：

Mounting：

Mounting Style：

Mounting Type：

MSL：

Note：

Number of Channels：

Number of Drivers：

Number of Elements：

Number of Elements per Chip：

Number of Functions：

Number of Pins：

Number of Positions：

Number of Rows：

Number of Terminals：

Number of Terminations：

Operating Mode：

Operating Supply Voltage：

Operating Temp Range：

Operating Temperature：

Operating Temperature (Max)：

Operating Temperature (Min)：

Operating Temperature Classification：

Operating Temperature Range：

Orientation：

Other Names：

Output：

Output Current：

Output Current per Channel：

Output Current-Max：

Output Peak Current Limit-Nom：

Output Type：

Output Voltage：

Package：

Package / Case：

Package Length：

Package Quantity：

Package Shape：

Package Type：

Package Width：

Packaging：

Part Status：

Pbfree Code：

PCB changed：

Peak Reflow Temperature (Cel)：

Pin Count：

Pitch：

Polarity：

Polarity/Channel Type：

Power (Watts)：

Power - Max：

Power Dissipation：

Power Dissipation (Max)：

Power Dissipation-Max：

Power Dissipation-Max (Abs)：

Power Dissipation-Max (Ta=25°C)：

Power Rating：

Power Supplies：

PPAP：

Primary Material：

Product：

Product Category：

Product Status：

Product Type：

Published：

Pulsed Drain Current-Max (IDM)：

Qualification：

Qualification Status：

Rated Power：

Ratings：

Rds On (Max) @ Id, Vgs：

Rds On Max：

Reach Compliance Code：

REACH SVHC：

Recovery Time：

Reference Standard：

Resistance：

Rise / Fall Time (Typ)：

Rise Time：

RoHS：

RoHS Status：

Row Spacing：

Seated Height-Max：

Series：

Shape：

Shell Finish：

Shell Material：

Shell Size - Insert：

Shielding：

Size：

Size / Dimension：

Standard Package Name：

Style：

Subcategory：

Supplier Device Package：

Supplier Package：

Supply Current-Max (Isup)：

Supply Voltage：

Supply Voltage-Max (Vsup)：

Surface Mount：

Switch Function：

Switcher Configuration：

Switching Frequency-Max：

Technology：

Temperature Coefficient：

Temperature Grade：

Terminal：

Terminal Finish：

Terminal Form：

Terminal Pitch：

Terminal Position：

Termination：

Termination Style：

Thickness：

Threshold Voltage：

Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：

Tolerance：

Tradename：

Transistor Application：

Transistor Element Material：

Transistor Polarity：

Transistor Type：

Turn On Delay Time：

Turn On Time-Max (ton)：

Turn-Off Delay Time：

Turn-On Delay Time：

Type：

Vf - Forward Voltage：

Vgs (Max)：

Vgs(th) (Max) @ Id：

Voltage：

Voltage - Rated DC：

Voltage - Supply：

Voltage Rating：

Weight：

Width：

Maximum Drain Source Voltage (V)：

Maximum Gate Source Voltage (V)：

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)：

Highest Frequency Band：

Dual Supply Voltage：

Power Dissipation Ambient-Max：

Maximum Continuous Drain Current (A)：

Nominal Vgs：

Turn Off Time-Max (toff)：

Filter：

Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays

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Part	Manufacturer	Description	Price		Stock	Action
PSMN070-200B	NXP Semiconductors	35A, 200V, 0.07OHM, N-CHANNEL	-	PDF RFQ	23,533 In-stock Warehouse	ADD TO RFQ
PMV65ENEA,215	Nexperia	2.7A, 40V, N CHANNEL, SILICON, M	-	PDF RFQ	17,525 In-stock Warehouse	ADD TO RFQ
PMV55ENEA,215	Nexperia	3.1A, 60V, N CHANNEL, SILICON, M	-	PDF RFQ	36,826 In-stock Warehouse	ADD TO RFQ
IRFF9211	International Rectifier	AUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL	-	PDF RFQ	40,913 In-stock Warehouse	ADD TO RFQ
MRF6V2300NR5578	NXP Semiconductors	N CHANNEL ENHANCEMENT-MODE RF PO	-	PDF RFQ	45,249 In-stock Warehouse	ADD TO RFQ
IRF7311PBF	International Rectifier	HEXFET POWER MOSFET	-	PDF RFQ	14,238 In-stock Warehouse	ADD TO RFQ
2SK2415-AZ	Intersil (Renesas Electronics Corporation)	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET	-	PDF RFQ	9,186 In-stock Warehouse	ADD TO RFQ
AUIRF7303QTR	International Rectifier	MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC	-	PDF RFQ	38,064 In-stock Warehouse	ADD TO RFQ
IRF7304PBF	International Rectifier	AUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL	-	PDF RFQ	214 In-stock Warehouse	ADD TO RFQ
2SK1284-Z-E1-AZ	Intersil (Renesas Electronics Corporation)	SMALL SIGNAL MOSFET	-	PDF RFQ	35,875 In-stock Warehouse	ADD TO RFQ
IRF730U	Harris Corporation	5.5A 400V 1.000 OHM N-CHANNEL	-	PDF RFQ	4,019 In-stock Warehouse	ADD TO RFQ
HUF76629DS3	Fairchild Semiconductor	N CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFET	-	PDF RFQ	37,245 In-stock Warehouse	ADD TO RFQ
MRF8S9170NR3,528	NXP Semiconductors	RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N	-	PDF RFQ	26,614 In-stock Warehouse	ADD TO RFQ
PMV280ENEA,215	Nexperia	1.1A, 100V, N CHANNEL, SILICON,	-	PDF RFQ	1,949 In-stock Warehouse	ADD TO RFQ
PMV65XPEA,215	Nexperia	2.8A, 20V, P CHANNEL, SILICON, M	-	PDF RFQ	43,946 In-stock Warehouse	ADD TO RFQ
2SK3355-S-AZ	Intersil (Renesas Electronics Corporation)	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET	-	PDF RFQ	10,975 In-stock Warehouse	ADD TO RFQ
MAX620EJN/R70564	Analog Devices, Inc.	QUAD, HIGH-SIDE MOSFET DRIVER	-	PDF RFQ	33,389 In-stock Warehouse	ADD TO RFQ
BUK7230-55A	NXP Semiconductors	PFET, 38A I(D), 55V, 0.003OHM, 1	-	PDF RFQ	49,819 In-stock Warehouse	ADD TO RFQ
IRFR91209AR3603	Harris Corporation	5.6A, 100V, 0.6OHM, P-CHANNEL,	-	PDF RFQ	13,759 In-stock Warehouse	ADD TO RFQ
IRF7807ZPBFPRO	International Rectifier	HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET	-	PDF RFQ	19,212 In-stock Warehouse	ADD TO RFQ

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